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高带宽内存HBM正成为推动DRAM市场增长的核心力量。凭借突破带宽瓶颈、降低功耗和提升容量优势,HBM已成为AI芯片的首选方案。行业预测显示,全球HBM市场规模将从2024年的170亿美元跃升至2030年的980亿,年均复合增长率高达33%。SK海力士强调,HBM不仅大幅提升AI性能,其发展速度更已超越传统内存,有效破解“内存墙”难题。
产业链方面,上游聚焦电镀液、前驱体、IC载板及TSV设备等关键材料与装备,中游为HBM制造,下游广泛应用于人工智能、数据中心和高性能计算。其中TSV工艺因工序复杂、价值量高,成为国产化突破重点。随着国产HBM量产加速,上游设备材料迎来扩产窗口。赛腾股份HBM检测设备已获海外大客户批量采购,正发力国内市场;中微公司则在刻蚀、CVD、PVD及检测设备领域全面布局,CCP刻蚀机与TSV深硅通孔设备均已落地应用。
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