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全球首只内存ETF上市大涨
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AI狂潮推高存储需求，内存芯片成新焦点。4月2日，全球首只纯内存ETF——Roundhill Memory ETF（代码DRAM）登陆美股，首周大涨5.04%，报29.16美元。它只投九家内存大厂，七成仓位押在美光、三星、SK海力士三大DRAM巨头身上，还囊括铠侠、希捷、南亚科等关键玩家。相比泛半导体ETF，这只基金更锋利，直指AI时代最吃紧的带宽与存储瓶颈。
但热闹背后暗藏警讯。历史多次证明，热门赛道催生专属ETF，往往是周期见顶的信号。高盛TMT存储指数一年涨350%，峰值超400%，ETF却姗姗来迟。分析人士直言：这很像2021年MEME股ETF、2008年煤炭ETF、2021年比特币期货ETF的诞生时刻——它们上线后，相关资产均迎来大幅回调。如今美光股价已比200日均线高出150%，创历史极值，DRAM ETF或正站在抛物线顶端。
