文章来源:
腾赚网
版权声明:本文内容由互联网用户自发贡献,该文观点仅代表作者本人。本站仅提供信息存储空间服务,不拥有所有权,不承担相关法律责任。如发现本站有涉嫌抄袭侵权/违法违规的内容, 请发送邮件至 wulanwray@foxmail.com 举报,一经查实,本站将立刻删除。
AI浪潮席卷存储行业,设备厂商迎来爆发期。SK海力士一纸815.6亿韩元的订单砸向韩国刻蚀设备商VM公司,金额相当于其去年全年营收的1.16倍;今年来自存储大厂的订单已超2246亿韩元,逼近全年预测上限。不止VM,Lam Research财报显示,3D NAND已让其营收翻倍,DRAM升级更将打开新空间——从2D到3D、从6F²到4F²,堆叠层数狂飙,刻蚀与薄膜设备需求水涨船高。
技术升级正加速传导至制造端。JEDEC拟将HBM封装高度标准从775微米提至900微米,韩美半导体随即推出宽尺寸TC键合机,支撑更大面积芯片的TSV与I\/O扩展;北方华创、中微公司同步发布新一代刻蚀设备,直指高深宽比、高选择比等硬核挑战。东吴证券指出,先进制程下设备投资呈“乘数效应”,平台型龙头与细分强者正站上风口。
抱歉,评论功能暂时关闭!