HBF闪存将破解AI内存瓶颈

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高带宽闪存HBF正加速奔向商用舞台。SK海力士已联手闪迪推进HBF标准制定，计划最快今年推出采用16层NAND堆叠的HBF1样品。得益于HBM研发积累的工艺与设计经验，HBF开发进程明显提速。业内专家预计，三星与闪迪有望在2027年底至2028年初将该技术应用于英伟达、AMD和谷歌的实际产品中。HBF结构类似HBM，通过堆叠NAND实现大容量存储，被形象比喻为“图书馆”，相较“书房”般的HBM虽延迟偏高，但容量优势显著。

随着AI大模型参数突破万亿、上下文长度超128K，现有HBM容量逐渐吃紧。HBF单芯片存储能力可达HBM的8到16倍，未来或使GPU内存扩展至4TB，成为破解AI内存瓶颈的关键方案。广发证券预测，HBF市场将在2至3年内迎来爆发，2038年规模有望反超HBM。为抢占先机，美光斥资18亿美元收购台湾晶圆厂，三星也将泰勒工厂月产能从2万片提升至5万片。存储升级浪潮下，适配HBF的数据基础软件或将广泛应用于AI推理场景，推动整个生态快速演进。