西电团队突破芯片散热瓶颈

让理财更简单：万0.86超低手续费>>【>>戳我进入<<】

芯片散热难，一直卡着高性能器件的脖子。传统技术里，材料层之间长出的“小山包”结构坑坑洼洼，热量堵在里头散不出去，时间一长就导致芯片降速甚至烧毁。这个难题困扰业界十多年，连诺贝尔奖成果都没能彻底解决。

西安电子科技大学郝跃院士和张进成教授团队带来转机。他们用“离子注入诱导成核”新方法，把原本乱长的“岛状”结构变成平整的原子级薄膜。这一变，界面热阻直降三分之二，散热效率大幅提升。用新技术做出的氮化镓芯片，功率密度冲上新高，比国际现有水平强了三到四成。探测设备看得更远，基站信号更稳还省电，未来应用空间巨大。