三星HBM3E大降价突围

三星电子正对12层HBM3E启动大幅降价，幅度高达三成，意图扭转市场颓势。此举背后，是其产品良率爬坡缓慢导致的被动局面。直到今年9月，三星才通过英伟达认证并开始供货，第四季度出货量预计仅数万片，远落后于竞争对手。SK海力士早已在2024年实现HBM3E量产，上半年更推进至16层堆叠；美光同期良率突破七成，出货规模也领先不少。

面对落后格局，三星早在7月就试探性提出降价方案，试图以价格换订单。但行业目光已转向下一代产品——HBM4。三星计划在本月科技展上发布第六代HBM4并冲刺量产，而SK海力士已率先完成全球首款HBM4开发，随时可投入批量供应。英伟达新一代AI芯片Blackwell Ultra明确采用HBM4，且对性能要求提升，SK海力士有望延续主导地位。随着HBM4登场，市场预期2025年高带宽内存单价将上涨超两成，12层HBM4单颗售价或达500美元。与此同时，传统DRAM与NAND受AI需求拉动，四季度报价也将上调最多三成，存储行业整体进入高景气周期。