英伟达Blackwell晶圆美国量产

黄仁勋近日到访台积电位于美国亚利桑那州凤凰城的工厂，与台积电高管共同见证首片美国本土制造的Blackwell晶圆下线。这一里程碑标志着英伟达最新AI芯片正式迈入量产阶段。Blackwell采用台积电4NP工艺，集成2080亿个晶体管，是前代Hopper的2.5倍以上，配备192GB HBM3E显存和第五代NVLink技术，性能大幅提升。其创新设计包括FP4精度、第二代Transformer引擎和专用解压模块，专为大模型推理与高效数据处理而生。自2024年3月发布以来，Blackwell已实现30倍性能跃升，能耗与成本反而下降25倍，迅速成为全球云服务商的首选。

台积电凤凰城基地（Fab 21）正加速推进本地化生产布局，计划分三阶段建成六座晶圆厂和两座封装厂，总投资约650亿美元。第一阶段预计2025年投产4nm\/5nm芯片，主要供应苹果处理器需求；第二阶段瞄准2027至2028年实现3nm甚至2nm工艺量产；第三阶段将延伸至本世纪末。未来该基地将承担2纳米及以下先进制程、A16芯片等关键产品制造，支撑人工智能、高性能计算和下一代通信技术发展。随着英伟达规划2025年推出Blackwell Ultra，芯片与制造工艺的协同升级正全面提速。