中微发布六款半导体新设备

第十三届半导体设备与核心部件及材料展（CSEAC 2025）9月4日至6日在无锡举行。中微公司在展会期间发布6款半导体设备新产品，涵盖等离子体刻蚀、原子层沉积和外延工艺。公司董事长尹志尧表示，目前中微在研项目涉及六大类、超二十款设备，开发周期已从以往的3至5年缩短至2年甚至更短。行业整体呈现头部企业领跑、新兴力量加速突围的格局。

中微多款新品直接对标国际巨头。其中，高深宽比等离子体刻蚀设备Primo UD-RIE®与泛林半导体深硅刻蚀机竞争，原子层沉积产品Preforma Uniflash®系列挑战应用材料同类设备，外延设备PRIMIO Epita® RP则与东京电子形成差异化竞争。北方华创、拓荆科技等国产设备厂商也在展会上推出多款新品。北方华创上半年研发投入达32.18亿元，同比增长30.01%；中微公司研发投入14.92亿元，同比增幅超53%。业内人士指出，随着GAA工艺推进与国际形势变化，国产设备研发速度加快，预计2025年市占率有望突破30%。尽管核心零部件仍依赖进口，但国产替代趋势不可逆转。