国产新型二维半导体材料突破

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国防科技大学与中国科学院金属所联手突破二维半导体晶圆级生长难题，成果登上《国家科学评论》。新型单层氮化钨硅薄膜实现掺杂可控、尺寸达亚毫米级，生长速度比此前纪录快千倍。

这种材料空穴迁移率高、电流密度大、散热强、化学性质稳，P型性能短板被显著补齐。它为国产CMOS芯片提供新路径，有望支撑后摩尔时代自主芯片发展。