SK海力士突破HBM4封装瓶颈

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SK海力士正加速验证新一代HBM4封装技术。面对I\/O数量翻倍至2048带来的信号干扰与供电难题，团队选择加厚上层DRAM芯片、缩窄芯片间距，在不增加整体高度的前提下，降低顶层功耗、提升电源效率。传统减薄工艺易削弱芯片抗冲击能力，新方案则兼顾稳定性与良率，测试结果积极，有望满足英伟达对峰值性能的要求。

全球HBM4竞赛已进入冲刺阶段。三星凭借产品稳定性率先推进量产，SK海力士依托与英伟达长期合作稳占供应优势，美光也在加快验证节奏。随着英伟达Rubin平台量产临近，三大厂商预计将在2026年第二季度完成HBM4验证，全面迎接AI算力爆发带来的需求浪潮。