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三星HBM4率先量产供货英伟达
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英伟达Vera Rubin显卡临近发布，HBM4内存大战全面开打。三星率先放大招：把第六代10nm DRAM芯片尺寸加大，既稳住TSV（硅通孔）工艺，又为HBM4腾出更多I\/O空间。更大的面积让TSV布局更灵活、散热更好、可靠性更高。但代价也很实在——单片晶圆产出减少，利润承压；加上主力使用的1c DRAM良率仅六成，量产压力不小。
三星一边提速，一边亮实力：HBM4性能直接干到11.7Gbps，远超JEDEC最初设定的8Gbps标准；控制器芯片用自家4nm工艺，比SK海力士的12nm代工方案先进一代。市占率上，三星去年底DRAM份额达36.6%，靠HBM4拉动明显。SK海力士则加速追赶，清州M15X工厂已提前投产1b DRAM，年底产能将翻几倍。业内预计，三大厂HBM4验证将在2026年二季度收尾，三星打头阵，其余两家紧随其后，共同供货英伟达。
