三星HBM4量产提速反超SK海力士

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英伟达Vera Rubin显卡临近发布，HBM4内存大战全面开打。三星率先放大招：第六代10nm DRAM芯片尺寸加宽，既稳住TSV（硅通孔）工艺，又为HBM4高I\/O需求腾出空间。更大面积带来更宽松的TSV布局，散热更好、可靠性更高。但代价明显——单片晶圆产出减少，利润承压；加上其主推的1c DRAM良率仅六成，量产压力不小。

三星已在清州工厂启动HBM4量产，市占率反超SK海力士，2025年Q4达36.6%。SK海力士加速追赶，把清州M15X工厂量产时间提前四个月，目标年底扩产至数万片晶圆。JEDEC标准从8Gbps提至11.7Gbps，三星宣称性能与良率双领先，无需改版。TrendForce预计，三大厂验证将在2026年Q2收尾，三星打头阵，SK海力士和美光紧随其后，共同供应英伟达Rubin平台。