三星全球首发HBM4芯片

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三星电子2月12日宣布，全球首发量产并交付HBM4高带宽存储芯片。这是业内首款实现大规模出货的HBM4产品，采用1c制程DRAM芯与4纳米基板，数据传输速率达11.7 Gbps，远超JEDEC标准的8 Gbps。该芯片已入选英伟达下一代AI平台Vera Rubin，将在3月GTC 2026大会上亮相。

下一代升级版HBM4E样品将于2026年下半年推出，定制版本2027年交付。三星跳过传统设计路径，直接启用最先进工艺，抢占技术高地。虽然SK海力士在产能稳定性上被看好，但三星凭借首发优势和客户高度认可，已在AI芯片关键赛道率先卡位。