三星HBM4量产在即性能破纪录

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三星电子官宣HBM4芯片量产在即，良率表现优异，性能远超行业标准。这款采用1c工艺DRAM芯片与4纳米基板的新型存储器，数据传输速率达11.7 Gbps，比JEDEC规定的8 Gbps高出近半。公司计划本月底起向主要客户批量供货，首批产品已获客户高度认可。

韩国半导体展同期在首尔开幕，规模创历年之最——550多家产业链企业参展，英伟达、SK海力士、英特尔等巨头悉数亮相，观展人数突破7.5万。展会现场，AI算力需求成为焦点，而三星正以HBM4为支点，加速抢占高性能内存高地。