三星全球首发HBM4量产

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三星电子本月下旬起向英伟达交付HBM4芯片，全球首次大规模量产正式落地。这款芯片将用于英伟达下一代AI加速器Vera Rubin平台，该平台已在CES 2026上宣布量产，预计今年下半年推出，GTC 2026大会也将重点展示。

HBM4性能大幅跃升：数据速率11.7 Gbps，比行业标准快37%，单堆栈带宽达3 TB\/s，是HBM3E的2.4倍；12层堆叠提供36 GB容量，未来可扩展至48 GB。三星采用1c DRAM工艺加4纳米基板工艺，而对手SK海力士主推1b工艺与12纳米基板。谁靠性能突围，谁凭产能稳供，这场HBM4之争已经开火。