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硅基芯片逼近物理极限,二维半导体成为突围新方向。南京大学王欣然、李涛涛团队联合东南大学王金兰团队,在《科学》发表突破性成果:首创“氧辅助金属有机化学气相沉积技术”,成功制备出6英寸高质量二硫化钼薄膜。这项技术让生长速率跃升两到三个数量级,彻底摆脱传统工艺中碳杂质多、速度慢的困局。
二硫化钼性能优越,但想挤进现有产线并不容易。团队紧盯产业需求,从衬底工程、动力学调控到设备升级全线攻关。眼下正加速研制适配12英寸晶圆的新一代沉积设备,推动二维半导体真正走向量产。《科学》审稿人评价,这一步踩准了从实验室到工厂的关键节点。
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