HBF闪存加速商用落地

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HBF，即高带宽闪存，正加速走向商业化。这项技术借鉴HBM的研发经验，通过堆叠NAND闪存提升容量，被视为AI时代的关键存储方案。SK海力士已联合闪迪推进标准制定，计划年内推出采用16层NAND堆叠的HBF1样品。三星与闪迪也瞄准2027至2028年，将HBF落地于英伟达、AMD和谷歌的实际产品中。专家金正浩指出，HBF如同“图书馆”，相较HBM“书房”虽延迟略高，但容量优势显著。随着工艺成熟，HBF有望在2至3年内密集涌现，到2038年市场规模反超HBM。

AI大模型的爆发式增长正推动存储需求升级。当前万亿参数模型对内存容量提出更高要求，现有HBM已显吃力。研发布局中的HBF，容量可达HBM的8至16倍，或将GPU存储拓展至4TB，成为破局关键。产能方面，美光斥资18亿美元收购台湾晶圆厂，三星也将泰勒工厂月产能从2万片扩至5万片，纷纷为未来需求铺路。广发证券分析认为，HBF普及还将带动数据基础软件发展，具备数据库技术积累的企业有望率先切入，在AI推理场景中实现规模化应用。