西电破局芯片散热难题

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芯片散热难，一直卡着高性能器件的脖子。过去不同材料层之间像搭积木，表面坑洼不平，热量堵在“岛状”界面出不去，时间一长设备就降速甚至烧坏。这问题困扰行业多年，尤其在5G通信、雷达等领域更是成了硬伤。

西安电子科技大学郝跃院士和张进成教授团队带来转机。他们用“离子注入诱导成核”技术，让原本杂乱生长的氮化铝层变得平整如镜，实现原子级的完美贴合。新结构导热效率大增，界面热阻直降三分之二。基于此做出的氮化镓功率器件，输出能力冲上新高，X波段达42瓦\/毫米，Ka波段也到20瓦\/毫米，国际纪录一举提升三到四成。同样大小的芯片，现在能跑更远信号、撑起更强性能，未来通信和雷达系统都将受益。