我国实现二维材料异质结重大突破

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中国科学技术大学张树辰团队联合美国普渡大学、上海科技大学研究人员，在二维离子型软晶格材料中实现重大突破。团队首次成功构筑出面内可编程、原子级平整的“马赛克”式异质结，相关成果于1月15日发表在《自然》杂志。这一进展为未来高性能发光器件与集成电子设备提供了全新材料路径。

传统光刻技术因反应剧烈，容易破坏结构柔软的二维卤化物钙钛矿材料，难以实现高质量横向异质集成。研究团队另辟蹊径，利用晶体生长过程中自然积累的内应力，设计温和的配体-溶剂环境，引导材料在特定位置发生可控“自刻蚀”，形成规则孔洞。再通过快速外延回填不同半导体材料，最终在单晶内部构建出界面光滑、晶格连续的异质结。这种“自我组装”模式无需拼接，可在同一晶体上直接“生长”出多色发光微像素，为低维材料器件化打开新方向。