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SK海力士提前量产HBM4
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HBM3E价格持续走高，存储巨头已将战场转向HBM4。SK海力士率先提速，将其清州M15X工厂量产计划提前四个月，预计明年2月启动1b DRAM晶圆量产，初期产能约1万片，年底将扩至数万片。这座被称为“HBM4专用工厂”的产线已完成技术准备，1b工艺通过认证，改进型电路的HBM4晶圆本月底完成制造，明年1月初向英伟达交付下一代12层内存最终样品。
三大厂商争夺愈发激烈。目前SK海力士仍居全球HBM市场首位，三季度市占57%，三星和美光各占22%和21%。但格局正在松动，英伟达团队近期访问三星，透露其HBM4在速度与能效测试中表现最优，已敲定大幅上调供应需求，远超三星内部预期。三星有望明年二季度起供货，平泽P4工厂将支撑量产。美光也不甘落后，计划2026年第二财季实现HBM4高良率量产，自主设计核心芯片。行业预测显示，2026年DRAM位增长或达26%，HBM成为存储超级周期主线，带动相关设备需求显著上升。
