SK海力士HBM4工厂提前量产

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HBM3E价格持续走高，存储巨头已将战场转向HBM4。SK海力士加速布局，将其清州M15X工厂量产时间提前四个月，计划明年2月启动1b DRAM晶圆生产，初期产能约1万片，年底有望扩至数万片。这座被称为“HBM4专用工厂”的基地已完成技术准备，1b工艺通过认证，改进型HBM4晶圆本月底完成制造，明年1月初向英伟达交付下一代12层内存样品。与此同时，英伟达Vera Rubin 200平台出货预期明朗，GB300 AI服务器机柜明年出货量预计达5.5万台，同比增长近1.3倍，新平台将于第四季度启动交付，部分订单已排至2027年。

当前SK海力士仍领跑全球HBM市场，三季度市占率57%，领先三星与美光。但格局或将生变。英伟达近期通报三星HBM4封装测试进展，其产品在运行速度和功耗效率上表现最优，已获供应绿灯，明年采购量远超三星内部预期。三星预计一季度签约，二季度起正式供货，称此次在HBM4研发上已反超对手。美光亦不甘落后，宣布HBM4将于2026财年第二季度量产，采用自研先进CMOS与金属化工艺。行业预测显示，2026年DRAM位增长或达26%，HBM成为资本开支重心，相关设备需求将迎来结构性爆发。