HBF闪存将补位AI存储缺口

AI推理的爆发正推动存储技术迈入新阶段。随着大模型从文本生成迈向多模态，图像与视频处理带来海量数据需求，传统HBM虽高速但容量有限，已难单独支撑算力需求。三星、SK海力士、闪迪等厂商纷纷将目光投向HBF——高带宽闪存。这种通过堆叠NAND闪存实现的技术，虽速度不及DRAM，却能提供约10倍容量，被视为弥补HBM短板的“辅助内存”。SK海力士已在OCP峰会上发布AIN系列产品线，包含HBF，并与闪迪联手制定技术标准；三星也启动了自主HBF的早期设计。

按规划，首批HBF样品有望在2026年下半年推出，2027年初搭载该技术的AI设备或将面世。尽管其市场规模预计到2030年为120亿美元，仅为HBM的十分之一，但二者并非替代关系，而是协同共进。当前，超大规模数据中心已开始从机械硬盘转向大容量QLC固态硬盘，企业级SSD供应紧张态势或将持续至2027年。叠加DDR5需求上升与海外产能受限，存储行业迎来“超级周期”，涨价趋势明确，AI驱动的这场存力变革正全面加速。