HBF闪存技术将引爆AI存储市场

AI存储赛道正迎来关键转折。随着推理需求爆发，传统HBM技术面临容量瓶颈，行业开始向“后HBM时代”迈进。三星、SK海力士、闪迪等巨头加速布局新型高带宽闪存HBF，试图抢占先机。SK海力士已在OCP峰会上推出AIN系列产品线，涵盖HBF技术，并与闪迪联手制定标准。三星也启动了自主HBF的初期设计。这种名为High Bandwidth Flash的技术通过堆叠NAND芯片实现大容量存储，虽速度不及DRAM，但容量可达HBM的十倍，被视为AI多模态发展的关键补位。

市场预期HBF将在2026年下半年送出首批样品，2027年初搭载设备亮相。据预测，到2030年其市场规模将达120亿美元，形成与HBM互补格局。当前AI模型从文本扩展至图像、视频生成，数据需求激增，数百EB级存储成为刚需。超大规模数据中心已转向大容量QLC固态硬盘，企业级SSD供应紧张局面或将持续至2027年。叠加DDR5需求上升与海外产能受限，存储行业进入“超级周期”，涨价趋势有望延续，新一轮增长窗口全面打开。