HBF存储技术将迎量产突破

AI推理热潮正推动存储技术迈入新阶段。随着大模型从文本生成迈向图文视频多模态，数据量暴增让容量成为算力瓶颈。传统HBM虽快但容量有限，行业开始转向“高带宽闪存”HBF——一种堆叠NAND闪存的新型存储方案。三星、SK海力士与闪迪已纷纷入局，SK海力士更在OCP峰会上推出AIN系列，涵盖HBF产品，并与闪迪联手制定技术标准。三星也启动了自主HBF设计。尽管HBF速度不及DRAM，但容量可达HBM的十倍，被视作下一代AI设备的关键辅助内存。

按规划，首批HBF样品有望于2026年下半年问世，2027年初搭载该技术的AI设备将陆续上市。市场预计，到2030年HBF规模将达120亿美元，虽仅为HBM市场的十分之一，但将形成互补格局。眼下，超大规模数据中心已开始从机械硬盘转向大容量QLC固态硬盘，TrendForce预测，2026年起企业级SSD供应将持续紧张。受AI需求拉动，叠加CSP采购回暖，DRAM与SSD厂商正加速扩产。然而受限于海外产能，存储涨价趋势或将延续至2025年底，行业迎来新一轮“超级周期”。