北大实现光刻胶微观成像突破

光刻技术是芯片制程不断微缩的关键，而光刻胶在显影过程中的表现直接影响电路图案的精度和芯片良率。长期以来，光刻胶在液体中的微观行为难以观测，工艺优化依赖经验试错，尤其在7纳米及更先进制程中，缺陷控制成为行业难题。北京大学彭海琳教授团队联合研究，首次将冷冻电子断层扫描技术引入半导体领域，成功在液相环境中捕捉到光刻胶分子的三维结构与界面缠结状态，分辨率高达5纳米，揭开了这一“黑匣子”。

这项突破性成果不仅实现了原位、高分辨、三维成像的技术跨越，还为优化光刻工艺提供了科学依据。基于观测结果开发的新方案显著减少了光刻缺陷，已具备产业化应用前景。相关研究发表于《自然·通讯》，为芯片制造中的光刻、蚀刻和清洗等关键环节提供了全新工具，有望推动国产高端芯片良率迈上新台阶。