北大破解光刻胶“黑匣子”难题

光刻技术是芯片制程不断缩小的关键，而光刻胶的表现直接影响电路图案的精度和芯片良率。长期以来，光显影过程中光刻胶在液体里的微观行为一直看不清，工艺优化只能靠经验试错，尤其在7纳米以下先进制程中，这一“黑匣子”问题严重制约了良率提升。北京大学彭海琳教授团队联合研究，首次将冷冻电子断层扫描技术引入半导体领域，成功捕捉到光刻胶在液相环境中的三维结构、界面分布与缠结状态，拍出一张分辨率高于5纳米的“全景照片”，突破了传统观测手段无法原位、高分辨、三维成像的瓶颈。

这项成果不仅揭开了光刻显影过程的分子级面纱，还为减少光刻缺陷提供了明确方向。相关方案已具备产业化应用潜力，论文发表于《自然·通讯》。该技术未来还可拓展至蚀刻、湿法清洗等关键环节，有望推动国产高端芯片制造在先进工艺上的持续突破。