黄仁勋见证英伟达Blackwell晶圆在美量产

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黄仁勋近日到访台积电位于美国亚利桑那州凤凰城的晶圆厂,与台积电高管共同见证首片美国本土生产的Blackwell晶圆下线。这一节点标志着英伟达最新AI芯片正式迈入量产阶段。Blackwell采用台积电4NP工艺,集成2080亿晶体管,是前代Hopper的2.5倍以上,配备192GB HBM3E显存和第五代NVLink技术,性能大幅提升。其搭载FP4精度、第二代Transformer引擎和专用解压模块,专为大模型推理优化,相较前代效率提升显著。

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该芯片于今年3月首次亮相,GTC大会上展示的GB200超级芯片可实现30倍推理性能飞跃,能耗与成本反降25倍。云厂商采购数据也印证需求爆发:2025年Blackwell订单达360万片,远超去年Hopper的130万片。英伟达正加速生产,并计划下半年过渡至Blackwell Ultra,2025年推出升级版架构。台积电在美布局同步推进,凤凰城Fab 21基地将分三阶段建设,预计投入650亿美元,逐步投产4nm至2nm先进制程,支撑AI、高性能计算等关键领域发展。

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