南大发布最高精度存算一体芯片

南京大学科研团队在模拟存内计算领域取得重大突破。该校类脑智能科技研究中心提出一种高精度计算方案，成功研发出基于互补金属氧化物半导体工艺的模拟存算一体芯片。该芯片在并行向量矩阵乘法运算中实现0.101%的均方根误差，创下模拟计算精度新纪录。相关成果已发表于国际期刊《科学·进展》。

研究团队将计算权重从易受干扰的物理状态转为稳定的器件几何尺寸比，从根本上提升精度与稳定性。通过权值重映射技术，芯片在极端环境表现同样出色，-78.5℃至180℃下误差极低，强磁场中输出电流变化不超过0.21%。这一成果标志着模拟存内计算向实际应用迈出关键一步，为低功耗高精度AI硬件发展提供新路径。