存储芯片集体涨价

全球存储芯片正掀起一轮涨价潮。三星、西部数据、闪迪等多家巨头近期相继上调产品价格，DRAM与NAND两大类存储芯片均被波及。其中，三星计划将部分DRAM价格提高15%至30%，NAND闪存涨幅在5%到10%之间；群联电子恢复报价，幅度约10%；闪迪更是宣布全线NAND产品涨价超10%。这一轮密集调价背后，是人工智能爆发带来的巨大需求。OpenAI已与三星、SK海力士达成初步协议，为“星际之门”项目采购大量存储芯片，预计2029年订单量将达到90万片晶圆，远超当前HBM产能。

市场格局正在发生变化。过去主导高性能场景的DRAM及其高端形态HBM持续紧张，而容量更大、成本更低的NAND正成为AI时代的潜力主力。摩根士丹利预测，到2026年NAND将出现8%的供应缺口。三星已启动HBF研发，这是一种基于NAND的新型高带宽架构，被视为HBM的补充。业内判断，SSD虽是大势所趋，但目前占比仍远低于HDD，随着数据中心对eSSD需求攀升，NAND短缺或将持续十年，价格涨势有望延续至明年甚至更久。