三星12层HBM3E通过英伟达认证

三星电子的12层HBM3E高带宽存储芯片终于通过英伟达认证，打破了长期未能入围的僵局。这款芯片早在18个月前就已完成开发，但因性能不达标屡次折戟。此次突破得益于年初对DRAM核心的重新设计，解决了散热难题。虽然三星已向AMD供货同款产品，但拿下英伟达订单意义更大，被视为技术重回正轨的标志。不过作为第三家获准供应商，初期出货量有限，更多是象征性胜利。

HBM4竞争随之白热化。三星计划用最先进的1c制程和4nm逻辑芯片抢占先机，其样品传输速率已达11Gbps，领先SK海力士的10Gbps，美光则暂难达标。本月将大批送样英伟达，争取早日量产。若能在2026年上半年实现大规模出货，有望重夺市场份额。对手方面，SK海力士已完成HBM4内部验证，宣称带宽翻倍、能效提升四成，股价年内翻倍；美光也已向客户交付36GB样品，三方鏖战全面展开。