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日本半导体新锐Rapidus近日宣布,其位于北海道的IIM-1工厂已启动2nm全环绕栅极(GAA)晶体管测试晶圆的原型制作,早期测试晶圆也已达到预期电气性能。这一进展标志着公司在先进芯片制造领域迈出关键一步。
Rapidus成立于2022年,由软银、索尼、丰田等日本八大企业联合出资,技术源自美国IBM,并获得日本政府高达1.7万亿日元的补贴支持。尽管目前量产时间表定在2027年,落后于台积电、三星等头部厂商,但这家年轻企业正努力在技术与工艺上站稳脚跟。其IIM-1工厂自去年9月动工以来进展迅速,今年4月试点产线启动,6月已接入200多台设备。
值得一提的是,Rapidus采用了全单片晶圆处理策略,每片晶圆独立加工检测,便于及时发现异常、快速调整,也为人工智能优化良率提供更多数据。虽然该方式成本高、周期长,但公司认为在提升成品率和适应多样化订单方面具备长期优势。目前,Rapidus正在开发配套的工艺开发套件,预计2026年一季度向客户开放,助力芯片设计方快速启动原型制作。
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